大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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